核心观点

  1.全球SiC产业格局呈现美、欧、日三足鼎立格局,其中美国一家独大。随着中美贸易战的不断升级,半导体芯片领域成为了中美必争之地,伴随着华为再次被美制裁,高端装备等领域的国产化势在必行。此外,SiC材料和器件在军工国防领域的重要作用,也越来越突出。SiC外延设备在推动产业链国产化进程中,意义尤为重大。

  2.器件发展,材料先行,IDM模式将继续成为行业主流。SiC将会取代Si作为大部分功率器件的材料,但不会完全替代,因为数字芯片并不适合采用SiC对Si进行替代,因此SiC预计占整个半导体行业10%左右。SiC主要应用在功率半导体上,因此IDM模式能够确保产品良率、控制成本。

  3.国内外差距没有一、二代半导体明显。先发优势是半导体行业的特点,Cree高市占率也印证了先发优势的重要性。相较于Si,国产厂商对SiC研究起步时间与国外厂商相差不多,因此国产厂商有希望追上国外厂商,完成国产替代。

  投资建议:建议关注相关产业链标的:北方华创(行情002371,诊股)、闻泰科技(行情600745,诊股)、天科合达(A20375)、海特高新(行情002023,诊股)、三安光电(行情600703,诊股)、斯达半导(行情603290,诊股)、长电科技(行情600584,诊股)、比亚迪(行情002594,诊股)电子(0285.HK)。

  风险提示半导体周期持续下行,贸易摩擦拉长周期下行的时间;产品迭代速度较慢,国内竞争者迅速成长;制造过程中核心设备和原材料遭到禁运,对生产造成不利影响。

  正文如下

  第三代半导体:研究框架

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